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led燈珠正裝與倒裝

發(fā)布時(shí)間:

2023-03-08 09:05


  led燈珠有分正裝與倒裝。那么2者又有什么區(qū)別。正裝結(jié)構(gòu),上面通常涂敷一層環(huán)氧樹脂,下面采用藍(lán)寶石為襯底,電極在上方,從上至下材料為:P-GaN、發(fā)光層、N-GaN、襯底。

  倒裝芯片(filp chip)技術(shù),是在芯片的P極和N極下方用金線焊線機(jī)制作兩個(gè)金絲球焊點(diǎn),作為電極的引出機(jī)構(gòu),用金線來(lái)連接芯片外側(cè)和Si底板。LED芯片通過(guò)凸點(diǎn)倒裝連接到硅基上。這樣大功率LED產(chǎn)生的熱量不必經(jīng)由芯片的藍(lán)寶石襯底,而是直接傳到熱導(dǎo)率更高的硅或陶瓷襯底,再傳到金屬底座。

led燈珠正裝與倒裝區(qū)別(1).固晶:正裝小芯片采取在直插式支架反射杯內(nèi)點(diǎn)上絕緣導(dǎo)熱膠來(lái)固定芯片,而倒裝芯片多采用導(dǎo)熱系數(shù)更高的銀膠或共晶的工藝與支架基座相連,且本身支架基座通常為導(dǎo)熱系數(shù)較高的銅材;

(2).焊線:正裝小芯片通常封裝后驅(qū)動(dòng)電流較小且發(fā)熱量也相對(duì)較小,因此采用正負(fù)電極各自焊接一根φ0.8~φ0.9mil金線與支架正負(fù)極相連即可;而倒裝功率芯片驅(qū)動(dòng)電流一般在350mA以上,芯片尺寸較大,因此為了保證電流注入芯片過(guò)程中的均勻性及穩(wěn)定性,通常在芯片正負(fù)級(jí)與支架正負(fù)極間各自焊接兩根φ1.0~φ1.25mil的金線;

(3).熒光粉選擇:正裝小芯片一般驅(qū)動(dòng)電流在20mA左右,而倒裝功率芯片一般在350mA左右,因此二者在使用過(guò)程中各自的發(fā)熱量相差甚大,而現(xiàn)在市場(chǎng)通用的熒光粉主要為YAG, YAG自身耐高溫為127℃左右,而芯片點(diǎn)亮后,結(jié)溫(Tj)會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于此溫度,因此在散熱處理不好的情況下,熒光粉長(zhǎng)時(shí)間老化衰減嚴(yán)重,因此在倒裝芯片封裝過(guò)程中建議使用耐高溫性能更好的硅酸鹽熒光粉;

 (4).膠體的選擇:正裝小芯片發(fā)熱量較小,因此傳統(tǒng)的環(huán)氧樹脂就可以滿足封裝的需要;而倒裝功率芯片發(fā)熱量較大,需要采用硅膠來(lái)進(jìn)行封裝;硅膠的選擇過(guò)程中為了匹配藍(lán)寶石襯底的折射率,建議選擇折射率較高的硅膠(>1.51),防止折射率較低導(dǎo)致全反射臨界角增大而使大部分的光在封裝膠體內(nèi)部被全反射而損失掉;同時(shí),硅膠彈性較大,與環(huán)氧樹脂相比熱應(yīng)力比環(huán)氧樹脂小很多,在使用過(guò)程中可以對(duì)芯片及金線起到良好的保護(hù)作用,有利于提高整個(gè)產(chǎn)品的可靠性;

 (5).點(diǎn)膠:正裝小芯片的封裝通常采用傳統(tǒng)的點(diǎn)滿整個(gè)反射杯覆蓋芯片的方式來(lái)封裝,而倒裝功率芯片封裝過(guò)程中,由于多采用平頭支架,因此為了保證整個(gè)熒光粉涂敷的均勻性提高出光率而建議采用保型封裝(Conformal-Coating)的工藝;(6).灌膠成型:正裝芯片通常采用在模粒中先灌滿環(huán)氧樹脂然后將支架插入高溫固化的方式;而倒裝功率芯片則需要采用從透鏡其中一個(gè)進(jìn)氣孔中慢慢灌入硅膠的方式來(lái)填充,填充的過(guò)程中應(yīng)提高操作避免烘烤后出現(xiàn)氣泡和裂紋、分層等現(xiàn)象影響成品率;

(7).散熱設(shè)計(jì):正裝小芯片通常無(wú)額外的散熱設(shè)計(jì);而倒裝功率芯片通常需要在支架下加散熱基板,特殊情況下在散熱基板后添加風(fēng)扇等方式來(lái)散熱;在焊接支架到鋁基板的過(guò)程中  建議使用功率<30W的恒溫電烙鐵溫度低于230℃,停留時(shí)間<3S來(lái)焊接;

以上是led燈珠正裝和倒裝之間得區(qū)別,更多l(xiāng)ed燈珠知識(shí)請(qǐng)咨詢led燈珠廠家海隆興光電http://www.x24xx.cn/

正裝,led倒裝

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